Anns a’ ghnìomhachas semiconductor aig astar luath, tha cumail suas suidheachaidhean àrainneachd mionaideach deatamach airson pròiseasan saothrachaidh àrd-inbhe.Epitaxy Beam Molecular (MBE), dòigh air leth cudromach ann an saothrachadh leth-chonnsair, a’ faighinn buannachd mhòr bho adhartasan ann an teicneòlas fuarachaidh, gu sònraichte tro bhith a’ cleachdadh nitrigin leaghaidh aguspìoban inslithe falamh (VIP). Tha am blog seo a’ sgrùdadh àite deatamachVIPann an àrdachadh MBEiarrtasan, a’ cur cuideam air èifeachdas agus earbsachd.
Cho cudromach sa tha fuarachadh ann am MBE
Epitaxy Beam Molecular (MBE)Is e dòigh làn smachd a th’ ann airson sreathan atamach a thasgadh air substrate, a tha riatanach airson a bhith a’ toirt a-mach innealan semiconductor leithid transistors, lasers, agus ceallan grèine. Gus an ìre àrd de chruinneas a tha riatanach ann am MBE a choileanadh, tha e deatamach cumail suas teòthachd ìosal seasmhach. Bithear a’ cleachdadh naitridean leaghte gu tric airson an adhbhair seo air sgàth cho ìosal ‘s a tha an ìre goil de -196 ° C, a’ dèanamh cinnteach gum fuirich na fo-stratan aig an teòthachd riatanach tron phròiseas tasgaidh.
Dleastanas Nitrigin Liquid ann am MBE
Tha nitrogen leaghte riatanach ann am pròiseasan MBE, a’ toirt seachad uidheamachd fuarachaidh cunbhalach a nì cinnteach gun tachair an tasgadh às aonais atharrachaidhean teirmeach nach eileas ag iarraidh. Tha an seasmhachd seo deatamach airson stuthan semiconductor àrd-inbhe a thoirt gu buil, oir faodaidh eadhon atharrachaidhean beaga teothachd leantainn gu uireasbhaidhean no neo-chunbhalachd anns na sreathan atamach. Bidh cleachdadh naitridean leaghaidh a’ cuideachadh le bhith a’ coileanadh nan suidheachaidhean falamh ultra-àrd a tha riatanach airson MBE, a’ casg truailleadh agus a’ dèanamh cinnteach à purrachd nan stuthan.
Buannachdan Pìoban Insalaichte Vacuum (VIP) ann am MBE
Pìoban inslithe falamh (VIP)nan adhartasan ann an còmhdhail èifeachdach de nitrigin leaghaidh. Tha na pìoban sin air an dealbhadh le còmhdach falamh eadar dà bhalla, a ’lughdachadh gu mòr gluasad teas agus a’ cumail suas teòthachd cryogenic naitridean leaghan fhad ‘s a tha e a’ siubhal bho stòradh gu siostam MBE. Bidh an dealbhadh seo a’ lughdachadh call naitridean leaghaidh mar thoradh air falmhachadh, a’ dèanamh cinnteach à solar seasmhach agus earbsach don inneal MBE.
Èifeachdas agus Cosgais-Èifeachdas
A 'cleachdadhVIPannsIarrtasan MBEa’ tabhann grunn bhuannachdan. Tha an call teas nas lugha a’ ciallachadh gu bheil feum air nas lugha de nitrigin leaghaidh, a’ lughdachadh chosgaisean obrachaidh agus ag àrdachadh èifeachdas. A bharrachd air an sin, tha feartan insulationVIPcuir ri àrainneachd obrach nas sàbhailte le bhith a’ lughdachadh cunnart frostbite agus cunnartan eile co-cheangailte ri bhith a’ làimhseachadh stuthan cryogenic.
Seasmhachd pròiseas nas fheàrr
VIPa’ dèanamh cinnteach gum fuirich an nitrigin leaghaidh aig teòthachd chunbhalach fad a slighe chun anMBE siostam. Tha an seasmhachd seo air leth cudromach airson cumail suas na suidheachaidhean teann a tha riatanach airson saothrachadh semiconductor àrd-chruinneas. Le bhith a 'cur casg air atharrachaidhean teòthachd,VIPa’ cuideachadh le bhith a’ toirt a-mach sreathan semiconductor nas èideadh agus gun lochdan, ag àrdachadh càileachd agus coileanadh iomlan nam bathar deireannach.
Uidheam cryogenach HL: A’ stiùireadh na slighe le siostaman cuairteachaidh nitrigin leaghaidh adhartach
Tha HL Cryogenic Equipment Co., Earr air leasachadh agus sgrùdadh a dhèanamh air staid ùr-nodhaSiostam cuairteachaidh còmhdhail nitrogen leaghtea thòisicheas bhon tanca stòraidh agus a thig gu crìch leis an uidheamachd MBE. Bidh an siostam seo a’ coileanadh gnìomhan còmhdhail nitrigin leaghaidh, sgaoileadh neo-chunbhalachd, lughdachadh cuideam & riaghladh, sgaoileadh naitridean, agus ath-chuairteachadh. Tha am pròiseas air fad air a sgrùdadh le mothachairean cryogenic agus fo smachd PLC, a’ comasachadh gluasad eadar modhan obrachaidh fèin-ghluasadach agus làimhe.
An-dràsta, tha an siostam seo gu seasmhach ag obrachadh uidheamachd MBE bho phrìomh luchd-saothrachaidh leithid DCA, RIBER, agus FERMI. An toirt a-steach deUidheam Cryogenic HL's siostam adhartach a’ dèanamh cinnteach à solar earbsach is èifeachdach de nitrigin leaghaidh, ag àrdachadh coileanadh agus seasmhachd phròiseasan MBE.
Co-dhùnadh
Anns a’ ghnìomhachas semiconductor, gu sònraichte ann an Iarrtasan MBE, cleachdadh naitridean leaghan aguspìoban inslithe falamh (VIP)tha e riatanach.VIPchan e a-mhàin gu bheil e ag àrdachadh èifeachdas agus cosg-èifeachdas siostaman fuarachaidh ach cuideachd a’ dèanamh cinnteach à seasmhachd agus mionaideachd a tha riatanach airson saothrachadh semiconductor àrd-inbhe. Mar a tha an t-iarrtas airson innealan semiconductor adhartach a’ sìor fhàs, tha innleachdan ann anVIPteicneòlas agus siostaman adhartach mar an fheadhainn a chaidh a leasachadh leUidheam Cryogenic HLbidh pàirt deatamach aca ann a bhith a’ coinneachadh ri riatanasan teann a’ ghnìomhachais agus a’ stiùireadh adhartasan san àm ri teachd.
Le bhith a 'faighinn buannachd bho bhuannachdanVIPagusUidheam Cryogenic HL'ssòluimteSiostam cuairteachaidh còmhdhail nitrogen leaghte, faodaidh luchd-saothrachaidh semiconductor barrachd cunbhalachd, èifeachdas agus sàbhailteachd a choileanadh anns na pròiseasan MBE aca, aig a’ cheann thall a ’cur ri leasachadh innealan dealanach an ath ghinealach.
Ùine a’ phuist: Jun-15-2024
